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MOSCAP结构之三:CV测量原理
mayer | 2009-08-11 19:39:40    阅读:6330   发布文章

MOSCAP结构之三:CV测量原理

1,为什么要进行CV测量?
MOSCAP结构已经在无尘室里被制造出来,对于任何一个器件来说,人们要想正确、有效地使用它的话,就必须对它的性质有充足的了解。依据CV测量,人们可以尽可能多的了解一个半导体器件的相关性质。
2,决定MOSCAP结构性质的一些重要参数
(1)电容C
ox

条件:d
ox 大于5 nm;器件工作在累积区

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