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Intel正式发布34nm新工艺固态硬盘 降价60%
mayer | 2009-08-07 19:59:35    阅读:1023   发布文章

Intel正式发布34nm新工艺固态硬盘 降价60%

 

Intel正式发布了全球首批基于34nm MLC NAND闪存新工艺的固态硬盘。从50nm进化到34nm,从技术角度上是更小的核心面积和更高级的工程设计,对消费者来说则是更低的价格:新旧产品之间的差价幅度最高超过60%。

 

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首批34nm固态硬盘只有2.5寸主流系列X25-M,容量仍保持在80GB和160GB,但改用了新的控制器和固件,性能因此大有提升,比如读取延迟从85微秒缩短到65微秒,写入延迟从115微秒缩短到85微秒,4KB随机读取IOPS 35000、写入6600(80GB)/8600(160GB),抗冲击力也从1000G/0.5s提高到1500G/0.5s,不过持续读写速度仍为250MB/s和70MB/s。

至于功耗,可能会让大家失望了。34nm X25-M的负载功耗保持150mW不变,但因为新控制器的缘故,待机功耗从60mW增加到了75mW,不过新控制器对环保也不是没有贡献,至少已经消除了原来使用的卤素,或许能因此得到苹果的采纳了。

34nm X25-M 80/160GB产品编号SSDSA2MH080G2/SSDSA2MH160G2,建议零售价225/440美元,比起一年前发布的50nm版本的595/945美元分别降低了62%和53%。廉价固态硬盘时代也许就在不远的前方。

新工艺版1.8寸规格X18-M系列将在本季度晚些时候出货,但320GB大容量版本何时发布尚不清楚,另外企业级X25-E何时升级新工艺也不得而知。

Intel还计划在未来发布新版固件,支持Windows 7 Trim优化命令,并提供终端用户工具,用于优化固态硬盘在Windows XP/Vista之下的性能。

 

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主要性能规格

 

 

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相较于50nm版本性能提升

 

 

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两代固态硬盘参数对比

 

 

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部分固态硬盘产品价格容量比

 

 

 

 

固态硬盘时代真的要来了……

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